|
|
本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一。
标准编号：GB/T 13150-2005
标准名称：半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2005-03-23
实施日期：2005-10-01
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 13150-1991
起草单位：襄樊台基半导体有限公司、北京京仪椿树整流器有限公司、上海天公整流器有限公司、丹阳可控硅元件厂、丹阳威斯特整流器有限公司、西安电力电子技术研究所
起草人员：颜家圣、高占成、季节、徐志毅、蒋建明、秦贤满
文件格式：PDF
文件页数：12页
文件大小：4.58MB
标准全文下载：
GBT 13150-2005.pdf
(4.58 MB)
文档首页截图如下：
 |
|
发表于 2022-11-30 09:54:16